化學機械研磨 Chemical Mechanical Polishing；CMP

化學機械研磨 CMP

化學機械研磨（CMP）是一個移除製程，是藉著結合化學反應和機械研磨來剝除沉積的薄膜，使積體電路（IC）表面更平滑、平坦。

CMP的優點是允許高解析度微影技術的圖案化步驟，當元件尺寸縮小時，微影技術的解析度就會變愈高，也就是欲使元件尺寸愈小，其表面的粗糙度必須愈小，才能確保微影技術的解析度，CMP製程就是扮演讓IC表面更平坦的關鍵製程。
化學機械研磨 Chemical Mechanical Polishing；CMP
化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)是半導體製程上主要的全面性平坦化技術。該製程是將晶圓放置在承載體(Carrier/Head)與表面鋪有拋光墊的旋轉工作台之間，沿著一條輸送管，將會產生化學反應的化學助劑(reagent)不斷噴出，在化學蝕刻與機械磨削兩者相互作用下，將晶片上凸出的沉積層加以去除的一種平坦化技術。
根據介紹，廣泛的應用在金屬膜及低介電質常數(Low-k)介電層的製程上。20世紀70年代，多層金屬化技術被引入到積體電路製造工藝中，此技術使晶片的垂直空間得到有效的利用，並提高了器件的積體度。
但這項技術使得矽晶片表面不平整度增加，由此引發的一系列問題嚴重影響了大規模機體電路的發展。為此，半導體業先後開發了多種平坦化技術，包括反刻、玻璃迴流、旋塗膜層等，但效果都不理想。
直到80年代末期，IBM將CMP技術進行研發，使之能夠應用於矽晶片的平坦化，其在表面上平坦化效果有了大幅改善，進而獲得業界的廣泛使用。